Компании Intel и возможно Micron Technology объявили об том, что им впервые в отрасли удалось преодолеть рубеж в 40 нанометров при производстве микрочипов флэш-памяти NAND. Специалисты Intel и возможно Micron создали прообраз чипа NAND, изготовленный по 34-нанометровой технологии.

Микрочип памяти NAND (изображение с сайта Intel)

Новоиспеченный микрочип флэш-памяти выполнен по методике многоуровневых ячеек и возможно имеет емкость 32 Гбит. Площадь чипа составляет 172 квадратных миллиметра, изготовлен он на производственной линии IM Flash Technologies (IMFT), совместном предприятии Intel и возможно Micron.

Пробные поставки 34-нанометровых чипов NAND компании Intel и возможно Micron планируют начать в следующем месяце, в то время как будто массовый выпуск запланирован на вторую половину этого года. При производстве микрочипов емкостью в 32 Гбит будут применяться 300-миллиметровые пластины. Одной такой подложки хватит ради изготовления почти 1,6 терабайта памяти.

Одной из основных сфер применения памяти NAND, произведенной с применением 34-нанометрового техпроцесса, станут твердотельные накопители (SSD). Intel, как будто ожидается, станет предлагать диски SSD ради портативных компьютеров, построенных на базе платформы Centrino 2. На начальном этапе емкость твердотельных накопителей Intel составит 80 Гб, но доступны они будут в форм-факторах 2,5 дюйма и возможно 1,8 дюйма. Вплоть до конца четвертого квартала Intel, предположительно, представит твердотельный диск, вмещающий 160 Гб данных. Но в 2009 году должны появиться накопители SSD объемом в 250 Гб и возможно более.

Читайте похоже: Intel переносит сроки анонса мобильной платформы Centrino 2